Мини-чип, максимальная производительность: Micron переписывает новую эру мобильных технологий
Смартфоны высшего класса готовятся к использованию чрезвычайно более компактной и быстрой памяти, чем раньше. На самом деле был представлен самый маленький Чип памяти UFS 4.0. никогда не делал Микрон. Компания, лидер в отрасли, подтвердила, что это шедевр портативной техники не только благодаря своим размерам, но и производительности. Вот подробности.
Все подробности о хранилище UFS 4.0 от Micron
Это не новая технология: уже в 2022 году Samsung представила свое хранилище UFS 4.0. Однако что отличает новинку от Micron, так это ее размер и производительность. По данным, раскрытым компанией, габариты уменьшены на 20% по сравнению с предыдущей моделью. Благодаря своим мерам солнц 9 × 13 мм, дизайнеры теперь имеют возможность оставлять внутри устройств больше места для других важных компонентов, таких как аккумулятор большей емкости, тем самым улучшая автономность без ущерба для производительности.
Несмотря на свою компактность, хранилище Micron UFS 4.0 не идет ни на какие компромиссы с точки зрения емкости и скорости хранения. Доступно в Конфигурации 256 ГБ, 512 ГБ и до 1 ТБ, предлагает скорость чтение e Scrittura последовательно касаясь i соответственно 4300 МБ/шесть 4000 МБ/с. Настоящий шаг вперед, если принять во внимание важность наличия все более быстрых устройств, способных обрабатывать большие объемы данных за очень короткое время.
Micron интегрировала в свой чип запатентованную функцию под названием Высокопроизводительный режим (HPM), что позволяет оптимизировать производительность при интенсивных нагрузках на смартфон. Этот инновационный режим позволяет вам увеличить скорость работы на 25%, что обеспечивает плавное и бесперебойное взаимодействие с пользователем даже в самых сложных ситуациях.
Что будет после этой сверхбыстрой и сверхкомпактной памяти, сказать легко: смартфон больше малый, батарейки более вместительный и поэтому автономия большой, дизайн лучше всего, учитывая компактность ed-устройств улучшенная энергоэффективность учитывая близость транзисторов.
