Что такое «нанометры» в процессоре?
Когда выходит новое устройство, особенно смартфон, мы часто читаем, что встроенный процессор имеет Numero x di нанометры. Но что это значит? Некоторые пользователи по понятным причинам мало внимания уделяют этому аспекту, но мы должны знать, что количество нанометров очень важно, если мы ищем смартфон (или любое другое устройство) с Buona автономия. Мы объясняем, почему.
Мы часто говорим о литографическом процессе x нанометров, но что это значит? Вот что такое нанометры на процессоре устройства
Одной из основных технических характеристик процессора является количество нанометров в его процесс di производство. Со временем это число еще больше сократилось по мере развития производства. Например, в топовом смартфоне используется литографический процесс. Нанометры 4, скоро даже на 3 нм. Однако важность этой единицы измерения не всегда понятна пользователям.
Нанометр (нм) — единица измерения длины. Чтобы получить представление о размере, 1 нм равен 0,000000001 метра. Бесконечно малая мера, которую невозможно увидеть невооруженным глазом. В конкретном случае процессоров нанометр относится к размер транзисторов которые составляют аппаратное обеспечение. В конкретном процессоре есть миллиарды транзисторов. Основная их функция заключается в выполнять вычисления с использованием электрических сигналов.
См. также: Samsung побеждает TSMC? Ведется разработка 3-нм чипов
Наблюдая за этим производственным процессом на мобильном телефоне или компьютерном чипе, мы можем увидеть, что в отличие от других спецификаций число уменьшается с развитием технологий. По сути, чем больше развивается технология, тем меньше нанометров между транзисторами. Так почему же это происходит? Есть несколько преимуществ, которые меньшая литография дает устройствам. Один из основных находится в большой коэффициент полезного действия энергия. Транзистор меньшего размера указывает на то, что для его работы требуется меньше энергии. При рассмотрении полного набора всех этих микрокомпонентов меньшее использование приводит к большей автономности.
В результате меньшего потребления компоненты оказываются в генерировать Мено тепло. Другими словами, прибор и машина плохо нагреваются и требуют меньшего охлаждения во время работы. Меньшие транзисторы также быстрее и предлагают более высокую производительность. Это связано с тем, что малое число нанометров означает меньшее расстояние между ними. То есть электрический сигнал может быть проведен быстрее. Кроме того, плотность выше, что приводит к тому, что на один и тот же процессор помещается больше транзисторов.
В текущем технологическом сценарии, в зависимости от сегмента или разработчика полупроводников, мы найдем мобильные процессоры и платформы с различными производственными процессами. В частности, в сегменте смартфонов (как мы уже говорили во введении) отрасль достигла процесс до 4 нм (см. TSMC и Samsung). Это означает, что современные чипсеты высокого класса, такие как A16 Bionic, Львиный зев 8 + поколение 1, Dimensity 9000 Plus и Exynos 2200 работают прямо на этой литографии.
На ПК последнее семейство AMD Ryzen 7000 работает на 5-нм узле. В свою очередь, Intel по-прежнему следует своему процессу под названием «Intel 7», в котором используется 10-нм техпроцесс. Следующим шагом для полупроводниковой промышленности будет реализация литография 3 нм. Пока нет точной даты, когда устройства поступят в продажу, но массовое коммерческое производство ожидается в 2023 году.
См. также: Snapdragon 8 Gen 2: появляются первые подробности о SoC Qualcomm
Ожидается, что TSMC отложит этот переход, поэтому тенденция такова, что Samsung продвигается вперед раньше него. Корейская компания хочет двигаться вперед и имеет программу, для которой ожидается запуск процесса 2 нм к 2025 г.. Кроме того, узел a 1.4 нм ожидается на 2027 год. В мае 2021 года IBM представила первый в мире чип с технологией 2 нм. В заявлении компании в то время подробно описывались преимущества этого узла, такие как в четыре раза увеличить время автономной работы смартфонов, уменьшить углеродный след центров обработки данных, ускорить работу ноутбуков и сотрудничать для более быстрого обнаружения объектов в автономных транспортных средствах.
И удастся ли добраться до 1 нм? В октябре 2016 года исследование ученых из Лаборатория Беркли показал, создание транзистора с этим узлом, который обещал сломать барьер законов физики. Подвиг стал возможен благодаря замене кремния на MoS. 2 (дисульфид молибдена).
